本征半導體Si、Ge等的四個價電子，與另四個原子構成四個共價鍵，硅片甩干機廠家說明當摻入少量的五價原子（如P、As）時，就形成了n型半導體，由量子力學知識可知，這種摻雜后多余的電子的能級在禁帶中緊靠空帶處，DED～10-2eV，極易形成電子導電。則半導體中的電子變為主要載流子，在室溫下，除了本征激發之外還受到雜質電離的影響，載流子濃度增加，使半導體的電導率上升；而當摻入的雜質為三價原子時（如B、Ga、In等），多余的空穴的能級在禁帶中緊靠滿帶處，DED～10-2eV，極易形成空穴導電，空穴為其主要載流子，與N型材料類似的，在室溫下，由于雜志電離效果的存在，摻雜后的半導體硅的載流子濃度增大，電導率增大。